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手机射频器件行业深度研究:关注龙头与国产替代-股票行情接口

投资大参考 投资大参考 12月03日 20:01

(获取报告请登陆未来智库www.vzkoo.com)

5G 驱动下,射频器件有望量价齐升,手机射频市场规模在 2023 年有望达到 234 亿美元;基站射频器件市场有望达到 58.0 亿美元。

价格方面,5G 为射频器件的 尺寸、频率、带宽提出了更高要求,从而提升了器件的价格。数量方面,5G 的宏 基站数量增多,复杂的制式也导致单基站器件增多;而智能手机中频段增加也导 致了所用射频器件数量的增加。因此,基站侧和手机侧射频前端器件有望迎来量 价齐升。

我们讨论了射频器件细分领域:滤波器、放大器、数模/模数转换器、时钟单元、 开关、分工器、环形器的技术特点、目前的竞争格局以及未来 5G 时期的发展方向。我们认为 5G 时期市场规模增长最快的是放大器和滤波器板块。放大器市场 主要被欧美厂商占据,包括 Qorvo,Skyworks,NXP,这些厂商采用 IDM 模式,专注于新产品的研发,保证了自身技术的领先地位。滤波器板块我国目前处于弱 势,但是部分厂商已经实现了技术突破,未来国产化率有望逐步提升。

1、射频器件概览

1.1、种类与市场规模

射频器件是收发无线信号中的关键部件,遍布于各种通信场景。射频是指频率范 围在 300kHz~300GHz 之间的电磁波,传递与处理这一频率电磁波的电子元器件就 被称为射频器件。因此,射频器件广泛应用于各个通信相关的领域包括:基站、 回传链路、卫星通信、军用、雷达、航空航天、有线宽带等场景。根据 Navian 的 数据,2020 年全球射频器件市场规模将达到 287 亿美元,2016-20 年 CAGR 为 10.7%,其中射频前端模组(front-end module,FEM,为多种射频器件的集成模 组)2020 年达到 85 亿美元,占比最高为 29.5%。

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放大器市场占比最高,约为 50%。按功能分,射频器件主要包括功率放大器(power amplifier,PA), 低噪放大器(low noise amplifier,LNA), 滤波器,开关,数模/ 模数转换器(AD/DA convertor,ADC/DAC),双工器(duplexer)等,功率放大 器负责发射通道的射频信号放大;滤波器负责发射及接收信号的滤波;双工器负 责 FDD(frequency division duplexing)系统的双工切换及接收/发送通道的射频信 号滤波;射频开关负责接收、发射通道之间的切换;低噪声放大器主要用于接收 通道中的小信号放大;接收机/发射机用于射频信号的变频、信道选择。其中放大 器(包括功放和低噪放大器)的占比最高,根据 HTF 的估算 2018 年为 50.7%, 预计 2022 年为 50.2%。

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1.2、射频器件使用场景

移动终端

无线通信的移动终端中,射频器件 2019 年市场规模将达到 210 亿美元。射频器 件在发射信号的过程中扮演着将数字信号转换成电磁波信号;在接收信号的过程 中将收到的电磁波信号转换成二进制数字信号。无论何种通信协议与工作频率, 射频器件都是系统必备的基础性零部件。根据 Navian 的预测,移动终端的射频前 端器件市场规模 2019 年达到 210 亿美元。

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发射信号能力取决于射频功率放大器(PA),性能直接决定了手机等无线终端的通讯距离、信号质量和待机时间,是整个通讯系统芯片组中除基带主芯片之外最 重要的组成部分。射频前端功能组件围绕 PA 芯片设计、集成和演化,形成独立 于主芯片的前端芯片组。

物理集成化技术将不同射频器件融入同个模组。为了支持繁多的频段与频段组合, 移动设备需要更多的射频组件。由于智能手机内部设计的局限性,厂商普遍通过 物理集成的方式将各射频前段组件集成到模块中,从而达到减少尺寸的目的。目 前常见的集成模块有与双工器集成的前端模块(FEMiD)、与双工器集成的 PA 模块 (PAMiD)、与开关集成的 PA 模块(TxM)、多 PA 模组(PAM) 、接收分集模块 (RxDM)、数据多工器(Multiplexer)等。

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在 6 GHz 以下频段,目前的全球射频前端市场的头部厂商包括博通(Broadcom)、 Qorvo、 Skyworks、村 田( Murata)。整体而言国产厂商处于弱势。根据 SystemPlus Consulting 的报告,在分别拆解苹果、三星、华为、索尼、小米和华硕的旗舰机 型后统计发现,这些 43 种主要的射频器件,其中 40%来自 Skyworks,24%来自博通,19%来自 Murata,10%来自 Qorvo,另外 7%来自 TDK/Epcos。

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即使自主研发比例高如华为,射频前端还是主要使用国外厂商的器件。在 P30 的 拆机中,我们发现华为海思在核心 SoC(处理器+调制解调)、音频芯片等都实现 了自研,其存储芯片分别来自于海力士(韩国)和美光(美国),传感器芯片来自 于意法半导体(欧洲)。但射频前端则来自于美国(Skyworks 和 Qorvo),因此成 为华为手机中国产替代最迫切的部分。

5G 时代的来临,将为射频前端产业提供更大的市场机遇。根据目前各国披露的 5G 使用频率,低频大部分集中在 3.4-5.0GHz,高于 4G 时期的 2.6GHz/1.8GHz。 根据 Yole Development 估计,手机和 WiFi 连接的射频前端市场预计将在 2023 年 达到 352 亿美元,复合年增长率为 14%。滤波器市场容量有望由 2017 年的 80 亿 美元增长到 2023 年的 225 亿美元。

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基站侧

基站侧的射频器件目前主要存在于 RRU 中,5G 时期主要存在于 AAU 中。基站 侧的射频器件主要在 RRU(remote radio unit)中,以华为 RRU3606 为例,里面 的射频器件为一个双工器,一个滤波器,两个 LNA,一个 PA,两个 A/D,一个 D/A。在上行链路中,信号通过光纤从 BBU(baseband unit)传输至 RRU。在 RRU 中,数字信号通过处理后,经过 DAC 转换成模拟信号;再经过 PA 放大,由于放 大过程会引入噪声,因此需要滤波器提升信号的信噪比,之后信号通过一个双工 器传送到天线。

5G 时期基站侧射频器件也将迎来量价齐升。根据电磁波传输原理,在相同的发 射功率情况下,电磁波的传输距离随频率升高而下降,因此 5G 单基站覆盖面积 小于 4G。我们预计中国新建 5G 基站数量将达到 389 万站(2019-25 年,其中移 动 173 万站,联通和电信共 216 万站),以实现对重点区域的全面覆盖,若实现对 全域的覆盖则新建基站数量将达到 425 万站(2019-2028 年)。5G 网络建设需要以 4G 网络作为基础,因此我们参考中国在 4G 时期的占比来估算全球 5G 基站数量。 2018 年 Q1,中国 4G 基站为 340 万座,占全球约 60%。我们假设 5G 时期中国 5G 基站数量占全球也为 60%, 则全球新建 5G基站数量将达到650万站(2019-25年)。

除了基站数量较 4G 时期大幅提升,单设备射频器件个数也将大幅提升。我们预 计 5G 前期将大量应用 AAU(active antenna unit)产品,后期在非核心区域可能 会出现 16TR 的产品。由于 AAU 产品采用了 Massive-MIMO 技术(目前为 64TR) , 因此 AAU 产品所用的滤波器、放大器、分工器、环形器、AD/DA 将成倍增加。

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工作频率较高,带宽较大,单器件价格有望进一步提升。由于 5G 工作频率较高, 带宽较大(5G 带宽为 100MHz 起,而中国 FDD-LTE 为 15MHz),所采用的器件 的价格往往高于 4G。例如,原有 2G/3G/4G 基站采用的功放通常使用 LDMOS 工 艺(横向扩散金属氧化物半导体 laterally-diffused metal-oxide semiconductor,与 CMOS 工艺兼容),但是相关器件工作的截止频率为 3.5GHz;因此 5G 毫米波设 备需要采用基于 GaN 的功放器件,价格大约为 4G 功放价格的 9-10 倍。

目前基站侧射频器件供应厂商主要为欧美和日本厂商,国产化程度较低。根据 ABI research 2016 年的数据,在基站侧功率放大器的主要厂商为 NXP(荷兰, 33%), Ampleon(荷兰,20%), Sumitomo(日本,12%)。对于滤波器,国产厂 商包括大富科技和武汉凡谷主要产品为金属腔体滤波器,在 4G 时期占据了较大 的市场份额。但是 5G时期由于 AAU 采用 64TR 的结构,滤波器的数量增长至 64 个,如果继续采用金属腔体滤波器,重量过大,因此陶瓷介质滤波器有望成为主 流,目前主要生产厂商为村田(日本) 、京瓷(日本)和灿勤(中国),但其他国 产厂商也有望实现技术突破,国产化程度有望逐步提升。

2、产品与技术趋势

2.1、滤波器

滤波器是一种选频装置,可以使信号中特定的频率成分通过,而极大地衰减其他 频率成分。滤波器是移动通信中进行信号传输频率选择的关键器件,主要通过电 容、电感、电阻等元器件的组合移除信号中不需要的频率成分,从而保障信号能 在特定的频带上传输,消除频带间相互干扰。

滤波器的主要分类:滤波器按照处理信号类型分类有模拟滤波器和数字滤波器。 模拟滤波器又分为有源滤波器和无源滤波器(有源器件是指工作中涉及能量转换, 需要外接电源;无源器件是指工作中不涉及能量转换,也无需供电) 。在众多分类中,SAW 滤波器、BAW 滤波器、腔体滤波器和介质滤波器是在移动通讯中应用 最广泛的四种。前两者主要用于移动设备,后两者主要用于通信基站。

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SAW 滤波器是声表面波滤波器,广泛应用于 2G 接收前端。 SAW(Surface Acoustic Wave)是一种沿着固体表面传播的声波。SAW 滤波器是在具有压电特性的基片 材料抛光面上制作的两个声电换能器(Interdigital Transducers,IDT)构成;压电 特性是指材料可以实现机械能(即声波)与电能相互转换的效应。电信号的通过 频率,与 IDT 结构周期以及声波在压电材料中的速度有关。

但 SAW 滤波器有局限性,高于约 1GHz 时,其选择性(信号与噪声的比值,一般 越高越好)降低;在约 2.5GHz,其使用仅限于对性能要求不高的应用。并且 SAW 滤波器的性能通常随着温度的升高而变差,为了改善这一点,厂商在 IDT 上增加 了保护涂层,使得滤波器对温度的敏感性降低。加上了保护涂层的 SAW 称为 TC-SAW。普通的 SAW 滤波器频率温度系数(TCF, temperature coefficient of frequency)大约-45ppm/oC 左右(ppm/oC 是指温度改变 1 摄氏度时频率值的相对 变化),而 TC-SAW 大约-15 到-25ppm/oC。 TC-SAW 成本大于 SAW,但小于 BAW。

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BAW 滤波器是体声波滤波器,在高于 1.5GHz 时,BAW 滤波器比 SAW 更具有性 能优势,且其尺寸随频率升高而缩小,非常适合 3G 和 4G。BAW(Bulk Acoustic Wave)是在物体内垂直传播的声波。基本结构是两个金属电极夹着压电薄膜,声 波在压电薄膜里震荡形成驻波。BAW filter 更适合于 2.5GHz 以上的频率,并且对 温度更不敏感,插入损耗更小。在一些多频段的场景下,只有 BAW 技术才能解 决频段间的相互干扰问题。另外,BAW 滤波器的尺寸还随频率升高而缩小。

腔体滤波器是采用谐振腔体结构的微波滤波器,通常采用金属制成,目前广泛应 用于通信基站中。腔体滤波器采用谐振腔体结构,一个腔体能够等效成电感并联 电容,从而形成一个谐振级,实现微波滤波。腔体滤波器具有结构牢固、性能稳 定、体积小、Q 值(带通滤波器的品质因数,定义为中心频率/滤波器带宽)适中、 寄生通带较远、散热性好等特点。因此,腔体滤波器广泛应用于通信基站中。

介质滤波器同样采用谐振腔结构,但其材料为陶瓷介质,能够把电磁场限制于谐 振腔之内,因此具有较高的 Q 值,性能优于传统的金属腔体滤波器。由于其选用 介质陶瓷作为谐振腔材料,因此具有低损耗、耐功率性好、带宽窄,和温度特性 好等特点,特别适合 CT1,CT2,900MHz,1.8GHz,2.4GHz,5.8GHz,便携电 话、汽车电话、无线耳机、无线麦克风、无线电台、无绳电话以及一体化收发双 工器等的级向耦合滤,在移动通信尤其是基站中得到广泛应用。

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移动端用滤波器 SAW/BAW 需求趋势

5G 时代新增频段 50 多个,带动移动设备滤波器数量翻倍增加。一般而言,手机 每支持一个频段,就需要增加一个接收滤波器和一个发送滤波器。市场上常见的 4G 手机一般为 13 频,再算上用于 Wifi、蓝牙和 GPS 上的滤波器,每台 4G 手机 大概会使用 30 多个滤波器。根据全球射频器件巨头 Skyworks 的预测,为了满足 5G 发展的需要,到 2020 年将会新增频段 50 多个,这也意味着手机上的滤波器的 数量将大幅增加。

据过往经验,频段升级能带来滤波器单机价值量翻倍以上增长。在早期的 GSM 手机中,滤波器的单部手机价值量不足 1 美金,而如今 4G 时代,苹果、三星的 高端旗舰机型的滤波器单机价值量超过 7 美金,单机价值量在过去的十年间增长 了数倍。3G 终端转换为 4G 终端带来单机价值量翻倍以上增长,而 4G 向 5G 的 迭代所激发的滤波量需求更值得期待。另外,将成为 5G 主流的 BAW 双工器价 值量约为 SAW 双工器的 2-3 倍,产品结构升级将进一步提升 5G 射频模块价 值量。

5G 时代,BAW 滤波器将成为高频段的主流选择。SAW 滤波器有一定的局限性, 在工作频率超过 1.5GHz 时,SAW 的 Q 值开始下降。而到 2.5GHz 时,SAW 已经 只能用在一些对旁瓣抑制要求比较低的场合。目前的无线通讯协议已经早就工作 大于 2.5GHz 的频段(例如 4G TD-LTE 的 Band 41)等,这时候必须使用 BAW 滤波器。BAW 器件所需的制造工艺步骤是 SAW 的 10 倍。


移动端滤波器 SAW/BAW 技术趋势

趋势一:小型片式化。5G 时代会涌现更多类型的通信设备,滤波器小型片式化的 诉求也不会停步。通常有三种途径缩小 SAW/BAW 滤波器的体积:缩小设计器件 用芯片、改进封装技术、将多个滤波器封装在一起。目前,传统圆形金属壳封装 已改进为扁平金属封装,而富士通公司开发的双制式(可支持模拟和数字两种模 式)便携式手机用 SAW 滤波器,均装有两个滤波器。未来滤波器小型片式化也 许会有更进一步的发展。

趋势二:高频、宽带化。5G 时代的到来,会增加更多的高频频段,滤波器也将面 临扩展带宽和提升频率的诉求。高频宽带化主要通过更加精细的半导体加工工艺 来实现。在压电基材确定的情况下, SAW 滤波器的工作频率由 IDT 电极条宽度 所决定。IDT 电极条越宽,滤波器的工作频率则越低。当采用半导体 0.35-0.2m 级的精细加工工艺时,可制出 2-3GHz 的 SAW 滤波器,进而激活了滤波器在更高 频场景中的应用。

趋势三:集成化。随着智能手机功能部件增多,可用空间减少,手机厂商也期望 能不断提高前端中的 RF 集成度。利用先进的封装集成技术,将多个元件芯片封 装集成在一个外壳中。另外,采用相同 SOI 工艺(Silicon-On-Insulator)可将滤波 器模块和其他射频前端模块进行单片集成。使用 SOI 新型工艺的单片集成技术, 具有高集成度、低成本优势。

趋势四:降低插入损耗。1965 年诞生之初,SAW 滤波器插入损耗较大,通常为 15dB 以上。为了满足通信设备的需要,人们通过开发高性能压电材料和改进 IDT 结构,将插入损耗降低到了 3dB 到 4dB 的范围。而 Murata 村田制作所开发的 ZnO/ 蓝宝石层状结构基片材料,可制造 1.5GHz SAW 滤波器,其插入损耗甚至低至 1.2dB。继续深入开发高性能压电材料和改进 IDT 结构,会使 SAW 滤波器的插入 损耗还有降低的空间。

基站用滤波器:腔体滤波器/介质滤波器发展趋势

5G 基站天线数量翻倍,带动滤波器需求强劲增长。一方面,5G 使用频率增加, 而基站的覆盖范围减少,因此 5G 基站的数量将会是 4G 基站的 1.5 至 2 倍。另一 方面,传统的 TDD 4G 网络的天线数量通常为 2/4/8 个,而采用 Massive MIMO 技 术的 5G 基站天线阵子数量可高达 64/128/256 个。通常每个天线都会配备一个由 两组滤波器组成的双工器,因此 5G 基站天线数量的大幅增加,有望导致滤波器 需求的爆发。

介质滤波器性能优于腔体滤波器,有望在 5G 基站中广泛采纳。在 3G/4G 时代,基站滤波器一般为金属同轴腔体滤波器。其成本低,工艺较为成熟,因此被广泛 应用。随着 5G 的来临,无线频段将会变得更加密集,金属腔体滤波器往往难以 实现高抑制的系统兼容问题,但使用陶瓷介质材料则可以解决。由于介质滤波器 具有插入损耗小、功率容量大、高抑制、温度漂移特性好等优点,介质滤波器代 表着高端射频器件的发展方向,有望在 5G 基站建设中被广泛采纳。

介质滤波器体积上更具优势,适合小型化的 5G 基站。5G 基站的一大趋势是小型 化和毫米波,因此对滤波器的体积尺寸有了更严格的要求。而陶瓷介质滤波器中 的电磁波谐振发生在介质材料内部,没有金属腔体,体积较上述两种滤波器都会 更小。并且介质滤波器的一大特性是尺寸与谐振频率成反比,随着频段提升,毫 米波基站所使用的介质滤波器的尺寸也将缩小,因此相比金属同轴腔体滤波器更 具优势。一旦实现量产,陶瓷介质滤波器的成本也会更低。因此,陶瓷介质滤波 器有望取代金属腔体滤波器成为主流。


滤波器市场规模与行业格局

2020年全球滤波器市场规模可达130亿美元。高通公司预测,滤 波器市场将由2015 年的 50 亿美金的市场规模增长至 2020 年的 130 亿美金。另据 Mobile Experts 预测,滤波器市场将由 2015 年的 50 亿美金增长至 2020 年的 120 亿美金。 Mobile Experts 的预测与高通基本一致。

手机射频器件行业深度研究:关注龙头与国产替代

中国是全球最大的 SAW 滤波器消费市场,且国产产量仅覆盖需求三十分之一。 中国 SAW 滤波器市场的规模在 2018 年达到 154.8 亿元,同比增长 4.97%,根据 通信标准升级及 5G 对物体接入的范围考虑,滤波器市场的空间还将成倍增长, 预计 2020 年可超过 170 亿元。2018 年我国 SAW 滤波器产量为 5.04 亿只,消费 量为 151.2 亿只,受技术因素影响,预计未来我国 SAW 滤波器产量将逐渐增加, 预计到 2025 年中国 SAW 滤波器产量可以达到 28.02 亿只,消费量超过 155 亿只。

目前主要的滤波器供应商来自美国、日 本。 SAW 滤波器的两大厂商为TDK-EPCOS 和 Murata,共占据近 70%的市场份额。而 BAW 滤波器的头部厂商是 Avago 和 Qorvo,共占据 90%以上的市场份额。以 iPhone 7 为例,其配置了 2 个大的滤波 器组及 2 个滤波器。而 其中 TDK 供应了 2 颗滤波器组及一颗滤波器,Murata 供 应了 1 颗滤波器。

目前我国移动端滤波器产业处于绝对弱势,但有机会在低端细分领域赶上。国际 厂商 1990 年左右开发出用于手机的 SAW 滤波器,而我国直到 2012 年才成功研 发,主要厂商包括中电 26 所、以中电德清华莹为代表的科研院所和以无锡好达 电子为代表的厂商。其中,科研院所的产品主要面向军用通信终端设备,而无锡 好达电子的 SAW 滤波器产品在手机中实现了销售,客户包括中兴、宇龙、金立、 三星、蓝宝、富士康、魅族等。

对中国厂家而言,滤波器最大的挑战,主要是专利和工艺。能量产的国产 SAW 滤 波器,由于芯片太厚,不易做进集成模块,不符合射频前端集成模组化的发展趋 势。对于 GSM,2G 或 3G 这样的低频通信,SAW 滤波器市场中的低成本竞争者份额有望提升,因为主流厂商将重点转移到使用 BAW 滤波器或者 FBAR 滤波器 的 4G 和 5G 市场。

基站侧,介质滤波器部分厂商即将实现技术突破,国产化率有望逐步提高。由于 介质滤波器体积小,质量小,插损低,稳定性好等优势,5G 时期有望成为 AAU 的主流解决方案。目前全球主要供应商有村田、京瓷,近年来,国内企业与海外 公司的差距逐渐减少,部分企业已经实现了批量供货(灿勤科技),部分企业也将 于下半年批量供货,包括大富科技、武汉凡谷。未来国产化率有望逐步提升。


2.2、放大器

放大器的功能是将输入的信号加以放大并输出,同时尽量保持信号的不失真。放 大器的核心为晶体管,晶体管基于输入电压或电流,通过改变输出端的阻抗,控 制输出端的电流。以功能分,放大器主要分为功率放大器(power amplifier, PA)、 低噪放大器(low noise amplifier, LNA) ,可调增益放大器(variable gain amplifier, VGA)。由于放大过程中使用的有源器件具有非线性特性,功率越高放大倍数越 小,因此输出功率越高信号越容易发生失真。

放大器的主要衡量参数包括放大倍数、工作频率范围、线性度、放大效率、噪声 系数以及谐波抑制等。PA 输出功率较高,放大倍数较大,但是在高功率情况下容 易发生失真,线性度低,SNR(signal-to-noise ratio)低;LNA 主要是对小信号进 行放大,放大倍数较小,但线性度高,SNR 高;VGA 主要关注动态调节范围, 此外器件的线性度、SNR 与放大倍数保持一定的平衡。

功率放大器 PA

射频功率放大器为上行电路重要器件。射频功率放大器是射频发射系统中的重要 组成部分,在上行的电路中,调制后所产生的射频信号往往功率较小,因此需要 采用射频功率放大器放大到一定的功率后,才可以送到天线发射出去,在手机中, PA 决定了手机通信质量、通信距离,此外产品的放大效率也一定程度上影响了手 机的待机时间,因此手机采用的 PA 往往为高集成度(集成在一个射频前端模组 里,能耗较小) ,大带宽,高效率。基站侧空间充足,但信号覆盖范围较大,因此 采用的 PA 往往尺寸较大,但是输出功率较高。

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目前Skyworks和Qorvo共占据终端设备侧PA 71%的市场份额,NXP和Ampleon 共占据了基站侧 PA 53%的市场份额。射频 PA 集中度较高,对于终端设备侧,主 要采用 GaAs(砷化镓)工艺,前四大公司为 Skyworks,Qorvo,博通和 Murata, 分别占据了 38%/33%/21%/5%的市场份额。而对于基站侧,主要采用 LDMOS 工 艺 , 前四大公司为 NXP ,Infinieon,Sumitomo 和 CREE ,分别占据 了 33%/20%/12%/11%的市场份额。

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低噪放大器 LNA

相比于功放,低噪放大器(LNA)主要应用在下行电路中,影响整体系统的噪声 水平。低噪放大器主要应用在射频信号接收系统(下行电路)中,由于来自天线 的射频信号一般比较微弱,需要在放大的同时保证尽可能少的引入噪声和实真, 因此低噪放大器一方面需要放大接收的射频信号,便于后续电路处理,保证系统 正常工作;另一方面需要减少系统的噪声干扰,提高系统的灵敏度。

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可调增益放大器 VGA

可变增益放大器(VGA)可以通过数字或模拟信号控制增益性能,广泛应用于多 种远程检测和通信设备中。VGA 的增益调节可以通过使用可变增益电路实现,或 者通过可变衰减器和固定增益放大器结合的方式来实现。目前 VGA 应用于超声 波、雷达、激光雷达、无线通信等各个领域,用来增强系统的动态性能。VGA 存 在的主要问题是当增益降低时器件噪声会显著增大,系统 SNR 下降。

未来技术趋势

移动终端 GaAs 为主流技术,基站侧 GaN 有望逐步取代 LDMOS。PA 的工艺主 要分为三种,LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体) ,GaAs(砷化镓)和 GaN(氮 化镓) 。传统的集成电路芯片基于单晶硅材料,但是由于硅的材料特性,它难以应 用于高频、高压、大电流等领域。在此基础上人们研发出来了 LDMOS 技术,将 砷和硼注入源/漏区,形成一个漂移区,从而能承受更高的电压,并能工作在更高 的频率范围(3.5GHz 以下) ,目前 LDMOS 的放大器可以应用于 3G/4G 基站。

此外,由于化合物半导体往往拥有比单晶硅更优异的射频性能,人们开始广泛采 用化合物半导体作为射频器件原材料,尤其是 GaAs 和 GaN。其中,GaAs 相比于 硅具有更好频率特性,可以工作在 40GHz 以下。但是由于 GaAs 输出功率较小, 因此 GaAs 的放大器适用于终端设备等小功率市场,而 GaN 可以实现更高的输出功率以及更高的工作频率,可以应用于大功率场景下。GaN 的禁带宽度、击穿强 度、电子饱和迁移速度、工作温度均远大与硅和 GaAs,因此作为射频元器件的材 料具有先天优势,可以同时适用于高功率和高频领域,目前基于 SiC 衬底的 GaN 器件可以工作在 40GHz,可以应用于 5G 宏基站/小基站以及卫星通信领域。

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GaN 将取代 LDMOS 的市场份额,GaAs 市场份额有望保持稳定。根据 YOLE 的 预测,未来 5 至 10 年,GaN 将逐步取代 LDMOS,成为 3W 以上射频功放的主流 技术,GaN 射频器件市场规模将从2017年 3.8亿美元增长至2023年的13 亿美元, CAGR 22.8%;而 GaAs 将凭借其可靠性和性价比,仍保持稳定的市场份额; LDMOS 市场份额将逐步下降至 15%左右。

原有 LDMOS 厂商通过代工厂获得 GaN 生产能力,GaAs 厂商产能转换较容易, 可以更快适应 GaN 技术。随着射频功放的发展趋势逐步明朗,现有的 RF 功放厂 商正逐步加大投资,从而在下一代技术成熟前获得一席之地,并成为市场的领导 者。目前,原有的主要 LDMOS 厂商,包括 NXP、Ampleon 和 Infineon 主要通过 外部代工厂进入 GaN 领域,例如 NXP 和 Infineon 将 GaN 器件委托给 Cree 公司代 工。而传统的 GaAs 厂商例如 TriQuint(现 Qorvo) ,可以凭借在化合物半导体领 域的积累,通过产能转换,更快的适应 GaN 技术的转换,并占据领先地位。

2.3、ADC/DAC

ADC 与 DAC 同属于数字转换器的细分,能够实现模拟信号与数字信号的相互转 换。ADC(Analog to Digital Converter)转换器,又称模数转换器,它是把连续的 模拟信号转变为离散的数字信号的电子元件。相反,DAC(Digital to Analog Converter)转换器又称为数模转换器,它能够将离散的数字信号转换成连续的模 拟信号。在射频模块中,模拟信号经放大送入 AD 转换器转换为数字信号,由数 字电路进行处理,再由 DA 转换器还原为模拟信号,去驱动部件。

转换精度和转换速度是衡量 AD 转换器和 DA 转换器性能优劣的主要标志。为了 保证数据处理结果的准确性,AD 转换器和 DA 转换器必须有足够的转换精度。 同时,为了适应快速过程的控制和检测的需要,AD 转换器和 DA 转换器还必须 有足够快的转换速度

目前,亚德诺半导体在数字转换器领域处于全球领先地位。ADI 拥有遍布世界各 地的 60,000 客户,涵盖了全部类型的电子设备制造商。公司总部设在美国马萨诸 塞州诺伍德市,设计和制造基地遍布全球。根据半导体和电子行业市场研究公司 Databeans, Inc. 2010 年发布的数据转换器市场研究报告,ADI 公司占据全球市场 份额达 47.5%。报告数据显示,ADI 公司继续扩大其在全球数据转换器市场上的 绝对优势,其份额超过最有力竞争对手的两倍,同时超过排名其后的 8 家公司市 场份额之和。

2.4、时钟单元

时钟单元提供高精度的时间和频率同步信号,是基站设备以及手机中不可缺少的 一部分。目前典型的无线侧基站设备为 BBU(基带处理单元)与 RRU(射频拉 远单元) ,其中 BBU 放置在机房,RRU 通过光纤与 BBU 相连,而 BBU 中存在一 个主控时钟单元,RRU 通过光接口共享 BBU 的主控时钟单元。同步技术包括时 钟同步和时间同步。只有做到了时钟同步,才能保证所有设备以相同的速率运行, 只有发送端和接收端的时钟频率保持一致,才能实现准确的通信。只有做到了时 间同步,才能保证不同设备同步运行。而手机 SoC 中往往集成了时钟单元。

时钟单元同步需要基于外部时钟参考源,并采用底噪锁相环技术(phase locked loop, PLL)。时钟单元需要接收外部的时钟参考源,例如基站采用的是全球定位 系统 GPS,手机采用的 GSM 系统中的控制信道。基于参考源,产生一个基准时 钟,然后对内置的晶体振荡器的输出频率进行精密的测量与调节,使其输出频率 精确的与参考源同步,并提供高精度的时间频率基准。其中 PLL 主要用于对晶体 振荡频率的测量与调节。

GPS 单元

基站侧,GPS 芯片主要用作外部时钟参考源;移动设备侧,GPS 芯片主要用于定 位。目前设计生产 GPS 芯片的厂家超过 10 家,包括美国 SiRF(2009 年初被英国 CSR 收购,后 CSR 被高通收购),博通,ST(意法半导体),索尼,富士通,飞 利浦,Nemerix,uNav(被高通收购),uBlox 等。目前高通是全球最大的 GPS 芯 片供应商。

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目前 GPS 已经发展到了第三代,民用导航精度为 1 米。美国 GPS 三代卫星从 2018 年开始逐步替换二代卫星。相比于之前的系统,GPS 三代拥有更高的发射功率和 新抗干扰措施;上行数据能力加强;此外民用系统导航精度从 3 米提升至 1 米。 我国北斗系统导航精度与 GPS 系统相比仍有一定差距。我国目前部署的为北斗三 代卫星,目前民用定位精度为正负十米,授时精度为 20ns,距 GPS 系统仍有一定 差距。

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自主可控势在必行,基于北斗系统的定位/同步芯片市场份额有较大提升空间。由 于 GPS 系统由美国国防部研制和维护,如果美国停止 GPS 民码,中国通信网路 将陷入瘫痪,因此我国大力发展北斗系统。目前虽然北斗系统的精度比 GPS 仍有 一些差距,但是国内厂商已经逐步推出了 GPS 北斗双模时钟单元,可以在两个系 统之间进行切换,自动选择最优的时钟源。

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锁相环 PLL

锁相环利用反馈技术来实现频率及相位控制,基本上所有成熟的 SoC 中都含有 PLL 电路。PLL 在 SoC 中的作用包括:提供时钟,倍频,相位锁定,频率综合等 作用。锁相环芯片的主要衡量参数是相位噪声,由于相位噪声会伴随信号出现在 解调终端,引起基带信号的 SNR 下降,从而导致系统误码率上升。此外,衡量参 数还有锁定范围(在该频率范围内,锁相环输出频率能跟随输入频率),环路带宽 (控制环路的速度),频谱纯度(主频相对于边频的强度)。 目前,锁相环供应商 主要为美国 ADI 和 TI。

2.5、开关

射频开关的作用是将多路射频信号中的任一路或几路通过控制逻辑连通,以实现 不同信号路径的切换,包括接收与发射的切换、不同频段间的切换等,以达到共 用天线、节省终端产品成本的目的。射频开关的主要产品种类有移动通信传导开 关、WiFi 开关、天线开关等,广泛应用于智能手机等移动智能终端。隔离度、插 入损耗、开关时间、功率处理能力是射频开关至关重要的参数。

5G 频段的增加、手机金属外壳的广泛采用,促使射频开关未来需求持续增长。 由于移动通讯技术的变革,智能手机需要接收更多频段的射频信号:根据 Yole Development 的总结,2011 年及之前智能手机支持的频段数不超过 10 个,而随着 4G 通讯技术的普及,至 2016 年智能手机支持的频段数已经接近 40 个;随着 5G 的到来,未来手机有望增加 50 个新频段,股票代码查询网总数达到 90 多个。一方面,由于手机 对频段信号的接收和发送均由射频开关控制, 5G 手机频段的增加必然带动手机射 频开关数的增加。另一方面,由于金属外壳已成为手机行业主流趋势,而金属外 壳一定程度上会减弱射频信号,所以手机厂商普遍需要天线调谐开关提高天线对 不同频段信号的接收能力。

载波聚合技术对射频开关的性能要求将更加苛刻。随着载波聚合的逐步普及,射 频 MEMS 开关行业将迎来快速增长。载波聚合技术将数个窄频段合成一个宽频 段,实现传输速率的大幅提升。载波聚合技术的引进大大增加了对射频器件性能 的要求以及射频系统的复杂度。目前市场上的射频器件主要采用 2 载波的载波聚 合。2017 年,国内的三大电信运营商将正式启动三载波的聚合,而到 2018 年, 四载波甚至五载波的载波聚合将出现在手机通讯应用中。载波聚合技术要求射频 天线开关具有极高的线性度,以避免与其他设备发生干扰,对于滤波器及射频开 关的性能要求将更加苛刻。随着载波聚合的逐步普及,射频 MEMS 开关行业将 迎来快速增长。目前机遇 SOI 工艺的射频开关正在接近技术极限,无法满足 IIP3=90dbm 的要求。能够达到 IIP3>90dbm 的射频性能目标的唯一一种开关是射频 MEMS 开关,因此射频 MEMS 开关将在未来 5G 时代迎来确定性增长机会。

根据 QYR Electronics Research Center 的统计,2010 年以来全球射频开关市场经历 了持续的快速增长,2017 年全球市场规模达到 14.47 亿美元,2017 年及之后增速 放缓,但预计到 2020 年期间仍保有 9.5%的年化增长率,预计到 2020 年达到 19.01 亿美元。

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2.6、其他无源器件

双工器(duplexer)

双工器主要实现发射和接收信号的隔离,保证上行下行链路能同时工作。双工器 往往由带阻滤波器组成,接收端的带阻滤波器的中心频率与发射信号频率一致, 而发射端的带阻滤波器中心频率与接收信号频率一致,从而将发射和接收的信号 进行隔离。

双工器的主要衡量指标包括工作频率范围,隔离度(两个等效带阻滤波器的阻带衰减量),插入损耗(对通带信号的衰减),稳定度(不同温度下的频率稳定性) , 驻波比(VSWR,衡量反射信号强弱,与阻抗匹配有关)。

环形器(circulator)

环形器使电磁波单向环形传输,从而将不同频率的信号分开,可以用作双工器, 也可以用作隔离器。环形器是一种多端口器件,电磁波在环形器的传输具有方向 性,只能沿一个方向传输,反方向是隔离的,因此我们可以利用环形器将接收/ 发射的信号进行分离。此外由于环形器具有单向性,也可以用作隔离器。环形器 的衡量参数与双工器类似,包括工作频率范围,插入损耗,隔离度,驻波比。

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3、未来市场空间变化

3.1、手机侧

5G 手机射频前端器件个数有望翻倍。根据 Qorvo 提供的 5G 射频前端系统 (4TR) , 我们可以发现如果只采用 n77(3300MHz-4200MHz)和 n79(4400MHz-5000MHz) 频段进行通信,则射频前端需要增加 4 个开关,4 个滤波器,4 个 PA 和 LNA,4 个双工器。考虑 4G 手机已有 6 个开关, 5 个滤波器, 2 个双工器, 4 个 PA 和 LNA,则 5G 时期一个手机将有 10 个开关,6 个双工器,8 个 PA 和 LNA,11 个滤波器, 一个 GPS 单元。

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5G 带来智能手机换机潮,手机射频前端市场规模 2024 年有望达到巅峰 240 亿美 元。我们假设 2020 年 5G 规模商用将逐步带动智能手机换机需求,2024 年智能手 机出货量有望达到 14.9 亿部,其中 5G 手机 60%,4G 手机 40%。在此基础上, 我们预计 2024 年全球手机射频前端市场规模将达到巅峰,为 240 亿美元,2019-24 年 CAGR 16.1%。

3.2、基站侧

5G 时期 AAU 所用射频器件价值提升,较 16TR 方案增长近 7 倍。5G 前期无线 介入侧将使用 64TR AAU 实现重点区域的覆盖,后期将出现 8TR/16TR 低配版本 天线实现网络的广泛覆盖。16TR 的普通天线+RRU,将会配置 8 个滤波器,4 个 双工器,1 个 AD/DA,4 个 VGA,总价为 1,326 元。而对于 5G 的 AAU,假设为 64TR 产品,将配置 64 个滤波器,64 个 LNA 和 PA,64 个开关,32 个双工器和 16 个 AD/DA,总价为 10,531 元。

5G 宏基站建设带来的射频前端市场量价齐升,2023 年基站侧射频前端市场规模 达到 58.0 亿美元。我们假设 2020 年起,中国新建 5G 基站数量占全球 50-60%。 此外 5G 首先覆盖城市热点区域,64TR AAU 产品占比开始较高,之后逐步降低 至 2023 年的 60%,同时射频器件价格逐步下降。此外 4G 基站建设高峰期已过, 建设数量逐步减少,假设新建 4G 基站多为 8TR 产品。此外假设 2021 年开始批量 建设 5G 小基站。基于该假设,我们预计 2023 年全球基站侧射频前端市场规模有 望达到 58.0 亿美元,CAGR(2019-23 年)为 34.1%。

4、竞争格局

4.1、全球 IDM 大厂

Skyworks

Skyworks(思佳讯)是全球著名的射频和移动通信器件生产厂商,拥有自己的晶 圆代工厂、封装和测试厂。其产品主要包括功放、射频前端和移动端和基站侧的 其他射频器件。目前公司的下游客户广泛分布于通信设备、汽车、能源管理、工 业、医疗、军事、移动智能终端等多个领域。目前公司拥有 GaAs 晶圆制造厂, 当自身产能不足的时候也会将部分订单交给中国台湾宏捷科技代工,

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公司成立于 1962 年,前身是 Alpha Industrie,公司 2000 年收购了 Philsar Semiconductor;2001 年并购了 Conexant 的无线通信事业部;2002 年 6 月收购了 Conexant 在墨西哥的封装测试厂,之后 Alpha 改名为 Skyworks,并于 2002 年在 美国上市。公司主要通过收购逐步获得设计和生产射频芯片的能力。

公司近十年收入平稳增长,FY2019 年受华为事件影响,收入下滑 13%。伴随近 年智能手机销量(尤其是苹果手机)的快速增长,公司收入保持平稳增长, FY2010-19 年收入 CAGR 为 13.6%,唯 2019 财年(截至 2019 年 9 月 30 日)受华 为事件影响收入下滑 12.7%。公司披露来自华为的收入占比 15%。除华为外的收 入 2019 自然年 Q2 和 Q3 增长约 20%。此外,由于公司为 PA 领域龙头,行业具 有一定壁垒,近年产品毛利率维持在 45-50%。

5G 时期公司研发费用率上升以保持行业领先水平,公司预期未来有 50 亿部 5G 手机需求,目前已经看到市场开始提速。目前进入 5G 上升周期,公司预期未来 有 50 亿手机用户将从 3G/4G 设备转向 5G,也为公司提供了巨大的发展机会。除 了智能手机业务,5G 也将带来更多新的市场和应用,尤其是在工业物联网、无人 驾驶、智慧城市、AI 等领域。


Qorvo

2014 年射频前端公司 RFMD 和 TriQuint 合并,成立了射频方案公司 Qorvo。目前 Qorvo 是全球领先的射频 IDM 厂商,拥有自己的晶圆代工厂和封测厂,产品主要 用于移动终端、通信设备、国防航天、工业和汽车等方面。

合并后二者业务相辅相成,共享资源降低成本,提高毛利率。合并前,RFMD 毛 利率为 32-37%,主要是由于产能利用率不足,尚未产生规模效应,为此公司曾尝 试削减部分研发投入,出售部分工厂,但是效果始终不佳。而 TriQuint 的毛利率 为 28-36%,同样也是由于产能利用率不足。而 RFMD 和 TriQuint 二者业务重合 较少,整体市场占有率仅从 28.4%下降至 25.5%,但是合并后二者共享部分资源, 成本进一步降低,提高毛利率至 40%左右。

博通(Avago)

博通前身为 Avago,成立于 1961 年,最早为惠普的半导体部门,1999 年惠普公司 拆分出 Agilent(安捷伦)公司,2005 年 Agilent 的半导体事业部更名为 Avago。 2015 年 Avago 收购博通公司,并正式改名为博通有限公司,目前主要有四个部门: 有线基础设施,无线通信,企业存储和工业及其他。收购前的 Avago 主要提供光 电产品、射频/微波器件以及企业 ASIC 三类产品,应用于无线和有线通信、工业、 汽车、消费电子、存储及计算机等领域。被收购前的博通公司为全球最大的无厂 半导体公司之一,产品为有线和无线通信半导体。

通过并购实现营收快速增长,2018 年受惠于美国减税,净利润大幅上升。2013 年 12 月,Avago 收购美国老牌芯片供应商 LSI,拓展企业存储产品线以及数据中 心等商机;2014 年,收购 PLX Technology,进一步加强了存储领域。2017 年公司 收购博科,取得交换机市场的主导地位。从 2014 财年起,公司通过多次并购实现 了收入的快速增长,FY2013-18 年营收 CAGR 为 52.6%。2018 年公司受惠于美国“2017 年减税与就业法案”,获得了 72.8 亿美元的税收优惠。

目前公司为全球第三大的 GaAs 器件供应商以及第一大的 BAW 滤波器供应商。 2017 年公司以 1.85 亿美元入股中国台湾 GaAs 厂稳懋,并成为其第三大单一大股 东,未来 Avago 的 HBT(heterojunction bipolar transistor,异质结双极性晶体管) 将全部由稳懋代工,这一举动主要是由于 Avago 业务线较多,公司希望通过将重 资产、人力成本较高、管理复杂、毛利较低的代工业务外包,提升公司的毛利率。

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4.2、化合物半导体代工

伴随 GaAs 技术不断成熟、标准化,代工业务逐步发展壮大。目前 GaAs 行业, 龙头企业仍以 IDM 模式为主,包括 Skyworks、Avago、Qorvo 和 Broadcom,但是 其中 Avago 和 Skyworks 当自身产能不足时会将部分代工订单交给中国台湾厂商, 其中 Avago 的代工厂是稳懋,Skyworks 的代工厂是宏捷科技。随着化合物半导体 技术的不断成熟,器件制造逐步标准化,代工业务也逐步发展壮大。

稳懋

公司成立于 1999 年,2000 年成功试产出亚洲第一片 6 吋 GaAs HBT MMIC 晶圆, 2001 年成功生产出全球第一片 6 吋 pHEMT(Pseudomorphic HEMT,赝配高电子 迁移率晶体管) MMIC 晶圆。公司占据全球 71.7%的代工市场份额,目前月产能 3.6 万片,并计划于明年 Q2 扩大到 4.1 万片。

目前 GaAs 行业主要受益于手机产业,未来 5G 有望带动行业蓬勃发展。无线通 信产品是 GaAs 产业的主要驱动力,手机目前仍是 GaAs 器件的最大市场,其次是 Wi-Fi 和部分通信设备,因此公司收入与手机销量呈现相关性。未来 5G 将带来新 一波换机潮,并且由于有更多 PA 集成在射频前端模组中,也将拉动 GaAs 行业需 求上升。而受益于 5G 网络,物联网也有望成为 GaAs 新应用领域,连接需求有望 进一步增长,拉动公司业绩。除了射频领域的需求,VCSEL 采用 GaAs/AlGaAs 材料,未来随着智能手机中 3D 感测的普及以及在 AR/VR 等领域的应用,VCSEL 也有望为公司带来新的发展动力。

宏捷科技

公司成立于 1998 年,并于 1999 年发布第一片 GaAs 异质结双极性晶体管(GaAs HBT), 公司业务不涉及产品设计,专注于 GaAs HBT 晶圆制造,目前产能为每月 1.2 万片 6 吋晶圆。

此前公司对 Skyworks 依赖过高,目前通过拓展 VCSEL 代工客户多样性增加。 宏捷科技的 GaAs 技术来自于 Skyworks 的转让,因此下游客户主要为 Skyworks,此前收入占比一度高达 80%,而 Skyworks 的射频器件主要用于苹果手机,因此 2014-15 年苹果手机热卖,公司收入大幅增长,之后又迅速回落。2017 年 Skyworks 开始自扩产能,委外生产比例下降至 50-60%,严重影响了公司的产能利用率以及 业绩表现,因此公司开始拓展其他客户,目前 3D 感测 VCSEL 代工进入华为供应 链,目前最近一个季度,来自 Skyworks 的收入占比下降至 34.2%。

4.3、国产替代进展

卓胜微

公司成立于 2012 年,致力于射频集成电路的研发,目前公司是国内领先的手机射 频开关、低噪放大器的芯片设计公司,射频前端芯片应用于三星、小米、华为等 终端厂商产品中。

目前收入以射频开关和 LNA 为主,未来将进军 SAW 滤波器市场。目前公司收入 主要来自于射频开关和低噪放大器,分别占比 78.6%和 19.3%,毛利率分别为 54.8%和 44.2%。公司 2019 年上市募投资金的 39%,合 4.7 亿元将用于滤波器及模组的研发,主要是 SAW 滤波器。虽然 SAW 滤波器在高频(2.5GHz 以上)时 受限,但是由于 BAW 滤波器门槛较高,专利壁垒较高,卓胜微选择以 SAW 滤波 器作为行业的突破口,目前 SAW 滤波器有小批量供货。未来较长一段时间内 5G 与 4G 共存,因此 SAW 滤波器仍将占据一定的市场份额,公司也有望在国产替代 过程中取得一定市场份额。

紫光展锐

2013 年紫光集团以 18 亿美元收购了当时国内第一、世界第三的通信基带芯片设 计公司展讯,随后 2014 年,紫光集团收购了当时国内排名第二的通信芯片设计公 司锐迪科,并于 2016 年将两者整合为紫光展锐。2018 年,紫光展锐以 110 亿元 营收在中国 IC 设计公司中排名第二。展讯主要聚焦 2G/3G/4G/5G 移动通信基带 芯片的设计开发;锐迪科主要从事射频芯片的开发设计。2019 年 5 月公司正式启 动科创板上市准备工作,预计 2020 年正式申报。

通信基带立足中低端市场,5G 时期有望切入中高端市场。在通信基带方面,目 前有智能功能机解决方案 SC9820 系列和 SC7731 系列,以及智能机解决方案 SC9863A 和 SC9832E,但聚焦中低端市场,主要销往拉美、东亚和非洲等地,2017 年基带芯片出货量约 6.7 亿套,占全球 27%,仅次于高通和联发科。公司发布了 5G 通信技术平台马卡鲁以及基带芯片春藤 510,采用台积电 12nm 制程工艺,支 持 SA/NSA 组网模式,支持 2G/3G/4G/5G 多模,符合 Rel-15 标准,支持 Sub-6GHz 频段,下载速率可达 2.3Gbps,11 月 20-23 日,世界 5G 大会上展示了一款搭载该 芯片的海信 5G 手机。虽然公司产品性能、制程距一流厂商仍有一定差距,但 5G 时期凭借这一款芯片公司有望切入中高端市场。

已发布 5G 功率放大器,国产替代或将受益。在射频前端方面,公司产品涵盖功 率放大器、传输模块、WiFi 前端模组、开关、低通滤波器等,目前可以提供 3G/4G 多频段、多模式的解决方案。5G 方面,公司目前提供支持 3.4-3.8GHz(band42 和 band43)的射频前端功率放大器 RPM6442,可以满足移动终端的高带宽和高速 需求。随着国产替代的逐步推进,公司也有望逐步受益。

昂瑞微(汉天下)

公司成立于 2012 年,原名中科汉天下,2019 年 9 月更名为昂瑞微。主要从事射 频前端芯片和射频 SoC 芯片的研发设计,目前每年出货量达 7 亿颗。公司目前主 要产品为面向手机终端的 2G/3G/4G 全系列射频前端芯片和面向物联网的无线连 接芯片,具备 CMOS 和 GaAs 功放的设计能力。

低端射频前端芯片市场占比较高,处于国内领先地位。公司目前是国内 CMOS 工 艺手机射频功放芯片出货量最大的设计公司,GSM 功放产品全球占比 75%,3G功放全球占比 65%,但 4G 功放市场仍主要被欧美厂商占据。此外,在滤波器方 面,公司已经掌握射频 MEMS(微电机系统)BAW 滤波器的核心技术,也有望 成为国内第一家 BAW 滤波器规模量产的公司。在近乎相同性能的前提下,公司 MEMS 滤波器比进口产品低 20%以上,希望通过高性价在滤波器市场比占据一席 之地。

4.4、投资建议

5G 建设将带动智能手机以及基站侧的射频市场快速增长,目前市场主要被欧美厂 商占据,并且龙头厂商集中度逐步提升,技术壁垒较高,建议投资者关注行业龙 头 Skyworks,Qorvo;随着行业细分化以及专业化,晶圆代工行业有望逐步扩大, 建议关注稳懋、宏捷科技;此外对于已实现部分国产化的行业,建议关注国产替 代带来的机遇,包括卓胜微、紫光展锐、昂瑞微。


(报告来源:兴业证券)

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